时间：2025/9/5 5:00:28
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BM28B0.6-16DS/2-0.35V(53) 是一款由ROHM Semiconductor生产的功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式结构，具有较低的导通电阻，能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的开关损耗。适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统以及各种高功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：28V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
封装类型：DFN2020B8（8引脚）
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散(Pd)：16W
BM28B0.6-16DS/2-0.35V(53) 具有低导通电阻的特点，这使得MOSFET在导通状态下的功耗更低，从而提高了整体系统的效率。其沟槽式结构设计优化了电流的流动路径，进一步降低了导通电阻并提高了热稳定性。此外，该器件具有较高的额定电流能力，能够在较高负载条件下稳定工作。
该MOSFET采用DFN2020B8封装，具有良好的散热性能和较小的封装尺寸，非常适合用于空间受限的高密度电路设计。其较小的封装也有助于减少PCB上的占用空间，提高整体系统的紧凑性。
在可靠性方面，BM28B0.6-16DS/2-0.35V(53) 能够在较宽的温度范围内稳定运行，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工作环境。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的设计，增加了其在不同应用场景中的适应性。
该MOSFET还具有较低的输入电容和输出电容，这对于高频开关应用尤为重要。低电容特性有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统的整体性能。
BM28B0.6-16DS/2-0.35V(53) 主要应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统、负载开关以及各种需要高效功率管理的电子设备中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换电路。此外，该器件也可用于电机控制、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。
Si2302DS-T1-GE3, FDS6675, IRF7309
