电容值：33μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　电容器类型：多层陶瓷贴片电容器（MLCC）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　损耗角正切值（tanδ）：低
　　绝缘电阻：1000MΩ（最小）
　　额定电流：无极性

TNCB0J336MTRF 电容器采用了TDK的先进多层陶瓷技术，能够在相对较小的封装中提供较高的电容值（33μF）。这种设计使其成为许多需要高容量滤波或储能的电路应用的理想选择。该电容器的X5R介质材料具有良好的温度稳定性，在-55°C到+85°C的范围内能够保持电容值的相对稳定，适用于各种环境条件。
　　此外，TNCB0J336MTRF 具有较低的等效串联电阻（ESR），有助于减少高频下的能量损耗，提高电路效率。低ESR特性对于电源管理电路、DC-DC转换器和去耦电路尤其重要，能够有效降低纹波电压并提升系统稳定性。
　　该电容器还具有较高的绝缘电阻，确保了在高电压或高精度电路中的可靠性能。同时，其无极性设计使其在交流电路和双向电压应用中非常方便。由于采用了表面贴装封装（SMD），该器件易于自动化装配，并节省电路板空间。

TNCB0J336MTRF 主要应用于需要高容量、小尺寸和稳定性能的电子设备中。例如，它常用于电源管理模块中的输入/输出滤波电容，以平滑电压波动并抑制噪声。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，这款电容器可以作为去耦电容，为处理器和外围电路提供稳定的电源供应。
　　在工业控制系统中，该电容器可用于PLC模块、传感器接口和电源供应单元，确保设备在复杂电磁环境下的稳定运行。此外，在汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统、电池管理系统和车载充电器中，TNCB0J336MTRF 也能提供可靠的电容支持。
　　由于其优异的高频特性，这款电容器也适用于射频（RF）电路中的旁路和耦合应用，有助于减少高频噪声对系统性能的影响。

TDK TNCB0J336M010A, TDK TNCB0J336M010B, Murata GRM32ER61C336KA12, Kemet C3225X5R1C336M160AC