SDM10C60TA2 时间：2025/7/22 9:52:52 阅读：14

SDM10C60TA2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET采用先进的技术设计，能够在高效率和高可靠性方面表现出色。SDM10C60TA2属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.58Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为26nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AC

特性

SDM10C60TA2具有出色的导通和开关性能，适用于各种高电压和高频率的应用。其导通电阻（Rds(on)）较低，有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较小，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。该MOSFET采用TO-220AC封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。SDM10C60TA2还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种严苛环境下的应用。

应用

SDM10C60TA2广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。例如，它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，以提高电源转换效率。此外，该器件还适用于DC-DC转换器、电池充电器和电机控制电路。在照明系统中，SDM10C60TA2可用于电子镇流器或LED驱动电路。由于其高可靠性和较强的抗雪崩能力，该MOSFET也常用于工业自动化设备、家用电器和电动工具等应用领域。