SDM10C60TA2是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET采用先进的技术设计,能够在高效率和高可靠性方面表现出色。SDM10C60TA2属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等场合。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):10A
最大导通电阻(Rds(on)):典型值为0.58Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):典型值为26nC
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220AC
SDM10C60TA2具有出色的导通和开关性能,适用于各种高电压和高频率的应用。其导通电阻(Rds(on))较低,有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较小,能够实现更快的开关速度,从而降低开关损耗。该MOSFET采用TO-220AC封装,具备良好的散热性能,能够在较高功率条件下稳定运行。SDM10C60TA2还具有较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于各种严苛环境下的应用。
SDM10C60TA2广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。例如,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,以提高电源转换效率。此外,该器件还适用于DC-DC转换器、电池充电器和电机控制电路。在照明系统中,SDM10C60TA2可用于电子镇流器或LED驱动电路。由于其高可靠性和较强的抗雪崩能力,该MOSFET也常用于工业自动化设备、家用电器和电动工具等应用领域。
STD10NC60T, STP10NK60Z, FQA10N60C