时间：2025/8/2 5:37:11
阅读：29
AONS36303是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能功率MOSFET，专为高效率电源转换系统而设计。这款MOSFET采用了先进的Trench技术，提供低导通电阻和优异的热性能，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。AONS36303采用紧凑的DFN5x6封装，具备良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
封装类型：DFN5x6
工作温度范围：-55°C至175°C
AONS36303采用先进的Trench结构，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，AONS36303具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高功率密度环境中长时间运行。其DFN5x6封装设计不仅体积小巧，还具备优异的热传导性能，便于在空间受限的设计中使用。AONS36303还具备良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持5V至12V的栅极驱动，适用于多种控制方案。其低阈值电压特性使其能够与低压控制器兼容，进一步扩展了其在现代电源管理系统中的应用。AONS36303的性能优势使其成为高效率电源转换器、负载开关、同步整流器和电机控制应用的理想选择。
AONS36303广泛应用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和工业自动化设备等领域。其高效率和高可靠性使其特别适合用于高功率密度和高温环境下的电源管理系统。
AON6330、SiR360DP、FDMS86201、IPB013N04NG
