存储容量：16Kbit
　　组织结构：x8
　　接口类型：SPI
　　电源电压范围：0.6V至3.5V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大时钟频率：20MHz
　　写入耐久性：10^12次/位
　　数据保留时间：超过10年
　　封装类型：8引脚DFN
　　尺寸：4.0mm x 4.0mm

BM23FR0.6-16DS-0.35V(895) 是一款高性能FRAM芯片，具备非易失性和高速读写能力。由于其无需电池供电即可保持数据，因此比传统的SRAM+电池方案更加环保和可靠。该芯片支持低电压操作，适用于便携式设备和低功耗系统。其写入耐久性高达10^12次/位，显著优于普通的EEPROM和Flash存储器，可支持几乎无限次的数据写入操作。此外，该芯片采用SPI接口，便于与各种微控制器连接，简化系统设计。其紧凑的DFN封装形式也适合空间受限的应用。
　　该芯片在工业自动化和物联网设备中表现出色，特别适合需要频繁写入、高速响应和低功耗的应用场景。例如，在数据记录器、传感器网络、智能电表等设备中，BM23FR0.6-16DS-0.35V(895) 可以提供可靠的数据存储保障。同时，其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)，使其适用于严苛的工业和汽车环境。

BM23FR0.6-16DS-0.35V(895) 适用于多种需要高速、非易失性存储的电子系统。典型应用包括工业控制设备中的数据日志记录、智能电表中的配置和计量数据存储、医疗设备中的患者数据保存、汽车电子系统中的事件记录、安全系统中的访问日志存储等。此外，该芯片也适合用于物联网设备，如远程传感器节点、穿戴式设备和嵌入式控制系统，以满足其低功耗和频繁写入的需求。

FM25V02-GTR、MB85RS2MTYFP-G-JNERE1、CYFRAM446ZS32BHE4-10SXI