时间：2025/6/21 23:15:12
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EMF107B7474MAHT是一种高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型设计。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能电源管理场景。其先进的封装技术确保了良好的散热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：50nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
EMF107B7474MAHT采用了最新的半导体制造工艺，具备超低的导通电阻，从而减少了功率损耗，提升了系统效率。
此外，该器件拥有优秀的热性能和高可靠性，在高频应用中表现尤为突出。
其快速开关特性和低栅极电荷使得它非常适合于要求严格的DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
同时，该芯片还具有强大的短路耐受能力，能够有效保护电路免受异常状况的影响。
EMF107B7474MAHT广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率转换部分。
2. 各类DC-DC转换器模块，如降压或升压拓扑结构。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化控制系统的电机驱动与负载切换。
5. 笔记本电脑适配器和其他便携式电子产品的充电解决方案。
IRFZ44N
STP36NF06
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