时间：2025/4/28 12:41:30
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FDN340P-G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，适用于多种功率转换和负载开关应用。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度电路设计。
FDN340P-G 主要用于便携式电子设备中的电源管理，例如手机充电器、电池管理系统以及音频放大器等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：570mA
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：380mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：无（因本体二极管特性）
FDN340P-G 具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻：即使在较低的栅极驱动电压下也能保持较低的 Rds(on)，从而减少传导损耗。
2. 快速开关性能：得益于其低栅极电荷，能够实现高效的高频开关操作。
3. 高可靠性：支持高达 150℃ 的结温，并具备静电防护能力。
4. 小型化设计：SOT-23 封装使其成为空间受限应用的理想选择。
5. 热稳定性：能够在宽温度范围内保持稳定的电气特性。
FDN340P-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 手机和其他便携式设备的负载开关。
3. LED 驱动电路中的开关元件。
4. 电池保护电路和过流保护。
5. 音频放大器中的开关功能实现。
由于其出色的效率和小型化优势，它特别适合消费类电子产品中对尺寸和能效要求较高的场合。
FDN340P, BSS138, AO3400A
