类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：12V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：56mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：8-SOIC

IMC1210ER56NK100 具备多项优异的电气特性和物理特性，适合多种高性能应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其在大电流工作条件下表现更为出色。该器件的导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 56mΩ，而在 VGS = 4.5V 时也保持在 75mΩ 的较低水平，这使其在低电压驱动电路中也能稳定工作。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 6A 的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力，适合用于中高功率的开关电源和负载管理应用。同时，其最大漏源电压为 20V，能够满足低压电源系统（如 12V 和 5V 系统）的需求。
　　此外，IMC1210ER56NK100 采用 8-SOIC 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛的环境条件。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，提高了高频工作的稳定性。这对于 DC-DC 转换器、同步整流器和 PWM 控制器等应用尤为重要。同时，其热阻较低，有助于提高器件在高负载下的热稳定性。

IMC1210ER56NK100 主要应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用场景包括 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、同步整流器、电源管理单元（PMU）以及便携式电子设备的电源控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在需要高效率和小体积设计的消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子中也得到了广泛应用。此外，该 MOSFET 可用于替代传统 NPN 或 PNP 晶体管，在开关速度和效率方面具有显著优势。

Si2302DS, IRML2803, BSS138K, FDS6675, IPB014N04LG