型号：BH76812FVM-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　通道数：4
　　电源电压范围：1.8V 至 5.5V
　　静态电流：典型值 35μA/通道
　　增益带宽积（GBW）：1.3MHz
　　压摆率（Slew Rate）：0.6V/μs
　　输入偏置电流：典型值 1pA
　　输入失调电压：典型值 1.5mV
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：VSON20 (2.0mm x 2.0mm)
　　输出类型：轨到轨
　　输入类型：轨到轨
　　共模抑制比（CMRR）：90dB
　　电源抑制比（PSRR）：90dB

BH76812FVM-TR的首要特性是其超低功耗设计，每个运放通道的静态电流仅为35μA左右，使其非常适合长期运行且依赖电池供电的应用系统，如无线传感器节点、可穿戴健康监测设备和IoT终端模块。这种低功耗性能不仅延长了设备的工作寿命，也减少了热管理的需求，提升了整体系统的能效比。该芯片采用CMOS输入级结构，实现了极低的输入偏置电流（典型值1pA），这对于高阻抗信号源（如光电二极管、生物电极或化学传感器）至关重要，能够显著降低因偏置电流引起的测量误差，提高系统的信噪比和测量精度。
　　BH76812FVM-TR支持轨到轨输入与输出操作，意味着其输入共模电压范围可以扩展至电源轨附近，输出也能驱动接近正负电源电压的负载，从而充分利用有限的低压电源实现最大动态范围。这一特性在使用单电源供电（例如3.3V或5V）的系统中尤为重要，有助于简化电平转换电路的设计并提升ADC前端驱动能力。其增益带宽积达到1.3MHz，足以应对大多数中速信号调理任务，包括滤波、放大和缓冲等应用。压摆率为0.6V/μs，能够在保证稳定性的前提下快速响应阶跃信号变化。
　　该器件具备优异的直流精度指标，输入失调电压典型值为1.5mV，并具有良好的温度漂移特性，确保在不同工作温度条件下仍能维持较高的测量一致性。其共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR）均高达90dB，有效抑制外部噪声和电源波动对信号链的影响，增强系统鲁棒性。内置EMI滤波功能进一步提升了在高频干扰环境下的工作稳定性，适用于智能手机、平板电脑或其他存在强射频场的设备内部。VSON20封装尺寸紧凑（仅2.0mm × 2.0mm），节省PCB空间，便于实现小型化设计。同时，该封装具有良好的热传导性能，有助于热量散发。

BH76812FVM-TR广泛应用于需要多通道、低功耗信号调理的电子系统中。典型应用场景包括便携式医疗设备，如血糖仪、心率监测器和体温计，其中多个传感器信号需要被同时采集和预处理；工业自动化领域的传感器信号调理模块，用于压力、温度、湿度等物理量的检测与放大；消费类电子产品中的触摸屏控制器前置放大电路或音频信号缓冲级；以及各类物联网（IoT）终端节点中用于环境感知的数据采集前端。其轨到轨输入输出能力使其成为连接模拟传感器与ADC之间的理想桥梁，尤其适合使用单电源供电的微控制器系统。在电池供电的无线传感网络中，BH76812FVM-TR凭借其极低的静态功耗，能够在不影响系统续航的前提下完成持续的信号监控任务。此外，它也可用于有源滤波器设计、电压跟随器配置、差分放大电路及电流感应放大等通用模拟电路拓扑结构中。由于其高输入阻抗和低偏置电流特性，该芯片特别适用于光电探测器信号读取，例如烟雾探测器、光强度传感器或脉搏血氧仪中的光电容积描记（PPG）信号调理。在汽车电子领域，虽然其温度范围未覆盖全部车规级要求，但在部分车身控制模块或车载信息娱乐系统的辅助电路中仍有应用潜力。总之，BH76812FVM-TR是一款兼顾性能、功耗与集成度的精密运算放大器解决方案，适用于多种对空间和能耗敏感的嵌入式模拟应用场合。

LMV844MFX/NOPB
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