时间：2025/8/6 6:35:56
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IXYH30N65C3是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用了先进的技术，具有出色的导通和开关性能，广泛用于工业电源、电机控制、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：30A（最大值）
栅极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.15Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：200W
IXYH30N65C3 MOSFET采用先进的沟槽栅极技术和场截止技术，显著降低了导通损耗和开关损耗。其高耐压能力使其适用于650V的工作环境，同时具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其高电流容量和低寄生电感设计进一步优化了动态性能，使其在高频开关应用中表现出色。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，从而增强了系统的可靠性和安全性。其封装设计提供了优良的散热性能，便于安装和维护。此外，IXYH30N65C3具有较低的栅极电荷，能够显著降低开关损耗，提高整体能效。由于其优异的电气和机械特性，这款MOSFET在工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动和新能源应用中得到了广泛的应用。
IXYH30N65C3主要用于高电压和高功率的电源转换系统，例如工业电源、直流-直流转换器、交流-直流电源适配器、UPS（不间断电源）系统、电机控制变频器以及太阳能逆变器。此外，它也适用于电动汽车充电设备、储能系统和电能质量管理系统等新兴领域。由于其出色的导通和开关性能，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。
IXFH30N65X2, IRGP50B60PD1, STW43NM60ND, FCH47N60NF
