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AUIRF2805STRR 发布时间 时间:2025/6/28 11:11:01 查看 阅读:6

AUIRF2805STRR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款器件专为汽车应用设计,具有出色的电气性能和可靠性。它采用了 TO-263-3(D2PAK)封装形式,能够提供高电流处理能力和低导通电阻,适合用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。
  该器件具备较高的雪崩击穿能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。同时,其符合 AEC-Q101 标准,确保了在汽车环境中的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:79nC
  总功耗:160W
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

AUIRF2805STRR 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高效率。此外,该器件具有快速开关速度,可以降低开关损耗,从而提升整体性能。
  其采用的 D2PAK 封装形式具有良好的散热性能,适用于高功率密度的应用场合。同时,该器件内置了热关断保护功能,可防止过热导致的损坏。
  另外,AUIRF2805STRR 符合 RoHS 标准,并且通过了严格的汽车级认证,能够在极端温度和振动环境下正常工作。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于汽车电子系统中,例如发动机控制单元、变速箱控制模块、电动助力转向系统等。除此之外,它还可以用于工业领域中的 DC-AC 逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备。
  由于其卓越的电气特性和机械强度,AUIRF2805STRR 成为需要高效能功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

IRF2805S,
  AUIRF2805TRR

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AUIRF2805STRR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流135 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)4.7 mOhms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg150 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散200 W
  • 工厂包装数量800
  • 典型关闭延迟时间68 ns