类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：140A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：140W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

BFGP4002W-S/ST 具备多个关键特性，使其在功率电子设计中具有广泛的适用性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这在高电流应用中尤为重要，如 DC-DC 转换器和负载开关。其次，该器件采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，使得开关损耗更低，适用于高频操作。此外，BFGP4002W-S/ST 的 TO-263（D2PAK）封装提供了良好的热管理能力，确保在高功率密度条件下仍能保持稳定运行。
　　另一个显著特性是该器件的耐用性和可靠性。它能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。此外，BFGP4002W-S/ST 具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，避免器件损坏。同时，其高栅极阈值电压（Vgs(th)）设计有助于防止误触发，提高系统的稳定性。
　　该 MOSFET 还具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 140A，在高功率应用中表现出色。此外，由于其封装形式为表面贴装（TO-263），便于自动化生产，提高制造效率。这些特性共同使 BFGP4002W-S/ST 成为高性能功率电子系统的理想选择。

BFGP4002W-S/ST 适用于多种高功率电子系统，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等领域。在服务器和通信设备的电源模块中，该器件可作为主开关或同步整流元件，提升整体效率。此外，BFGP4002W-S/ST 也适用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器、DC-DC 转换器以及电机控制系统。在工业自动化和电机控制应用中，它可用于高性能 H 桥驱动器和高电流负载开关。此外，该器件还可用于储能系统、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等高可靠性应用场景。

BSC022N04LS G, BSC010N04LS G, BSC016N04LS G