IRLR8729TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。IRLR8729TR通常用于需要高效功率转换的应用中,例如DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动和电源管理等。
该器件封装为TO-263-3(DPAK),适合表面贴装技术,便于自动化生产和散热设计。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:51A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:140W
结温范围:-55℃至175℃
IRLR8729TR是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中能显著降低功耗。
2. 高效的开关性能,适用于高频功率转换场景。
3. 良好的热稳定性,支持高温工作环境。
4. 小型化封装(TO-263-3/DPAK),节省PCB空间并简化散热设计。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
这些特性使得IRLR8729TR成为许多高效功率应用的理想选择。
IRLR8729TR广泛应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的同步整流功能。
2. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
3. 工业电机驱动和控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
5. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。
其低导通电阻和高效率特性使其特别适合于需要高功率密度和低损耗的应用场景。
IRL8729TRPBF, IRLR8728TR, IRLR8727TR