类型：NPN 达林顿
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：5A
　　功率耗散（PD）：75W
　　增益（hFE）：750 至 30000
　　工作结温（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

BDW84B作为一款高性能的NPN达林顿功率晶体管，其最显著的特性之一是极高的电流增益（hFE），典型值范围在750到30000之间。这种极高的增益意味着即使输入信号非常微弱，也能有效地驱动较大的负载电流。这一特性使其特别适合用于需要低驱动电平但又要控制大电流的应用场景，例如逻辑电路驱动功率负载、微控制器输出接口扩展等。由于采用了达林顿结构，即两个晶体管串联连接，前级晶体管的放大作用被后级进一步增强，从而实现了极高的总电流增益。
　　另一个关键特性是其高电压耐受能力。BDW84B的集电极-发射极电压（VCEO）额定值为100V，集电极-基极电压（VCBO）同样为100V，这意味着它可以安全地应用于高达100V的直流电源系统中，适用于多种工业控制和电源切换应用。同时，该器件能承受最大5A的连续集电极电流，并可在短时间内承受更高的脉冲电流，表现出良好的过载能力。
　　在热性能方面，BDW84B采用TO-220封装，具有较低的热阻，有助于将内部产生的热量有效传导至外部散热器。其最大功率耗散可达75W（在理想散热条件下），但在实际应用中，必须根据环境温度和散热条件合理降额使用，以避免因过热导致器件损坏或寿命缩短。值得注意的是，由于达林顿结构的固有特性，BDW84B在饱和导通状态下的集电极-发射极饱和压降（VCE(sat)）较高，通常在4V左右（当IC = 3A时），这会导致较大的导通损耗，因此在高电流应用中必须仔细计算功耗并采取适当的散热措施。
　　此外，BDW84B还具备良好的开关特性，虽然其开关速度不如普通晶体管快（由于达林顿结构存在存储时间较长的问题），但对于大多数中低频开关应用（如继电器驱动、电机启停控制等）而言已经足够。为了加快关断速度，常在其基极与发射极之间接入一个泄放电阻，以加速基区载流子的复合。总体而言，BDW84B以其高增益、高电压、大电流和可靠的封装设计，在工业电子、自动化控制和电源系统中得到了广泛应用。

BDW84B广泛应用于需要高增益和大电流驱动能力的电子系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的继电器和电磁阀驱动，其中微控制器或其他逻辑电路通过BDW84B来控制高功率负载的通断。由于其高电流增益特性，只需很小的输入电流即可驱动继电器线圈，从而实现电气隔离和功率放大功能。
　　在电机控制领域，BDW84B可用于直流电机的启停和方向控制电路中，尤其是在H桥驱动电路的低端开关位置，作为功率开关元件使用。尽管其饱和压降较高，但在低速或间歇工作的电机控制中仍具有成本低、可靠性高的优势。
　　此外，该器件也常用于电源稳压电路中，作为串联调整管或过流保护电路的一部分。例如，在线性稳压电源中，BDW84B可以作为主调整管，配合误差放大器实现输出电压的稳定调节。由于其可承受较高的电压和电流，适用于中等功率级别的稳压应用。
　　在照明控制系统中，BDW84B可用于调光电路或大功率LED驱动模块，特别是在模拟调光或PWM调光方案中作为功率开关使用。其高增益特性允许直接由逻辑信号驱动，简化了驱动电路设计。
　　其他应用还包括加热元件控制、电池充电器中的电流调节、自动测试设备（ATE）中的负载切换以及各种家用电器的控制板中。总之，凡是需要将小信号转换为大功率输出的场合，BDW84B都是一种经济且可靠的解决方案。

BDW84C
　　BDW83B
　　TIP122
　　MJ11016
　　BDW94B