型号：2SK2164
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　功耗PD：125W
　　导通电阻RDS(on)：0.65Ω（最大值，@ ID=3.5A, VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V～4.0V（@ ID=1mA）
　　输入电容Ciss：1100pF（@ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：350pF
　　反向传输电容Crss：50pF
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　工作温度范围：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2164具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。在典型工作条件下，当栅极驱动电压达到10V时，其最大导通电阻仅为0.65Ω，这对于需要长时间持续大电流工作的应用至关重要。低RDS(on)不仅减少了发热，也允许使用更小尺寸的散热装置，有助于实现紧凑型电源设计。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其较小的寄生电容和优化的内部结构。输入电容Ciss为1100pF，输出电容Coss为350pF，反向传输电容Crss仅为50pF，这些参数确保了在高频开关操作中能够有效减少驱动损耗并提升转换效率。同时，较短的开启延迟时间（约10ns）和关断延迟时间（约45ns）使得2SK2164非常适合用于工作频率高达数十kHz甚至更高的开关电源拓扑结构，如反激式、正激式或半桥变换器。
　　2SK2164还具备良好的热性能，采用TO-220封装，具有较高的热传导能力，配合适当的散热片可有效将结温控制在安全范围内。其最大结温可达150°C，支持宽范围的工作环境温度（-55°C至+150°C），适用于严苛的工业和户外应用场景。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能量能力，能够在遭遇电压尖峰或负载突变时提供一定程度的自我保护，增强了系统的可靠性。其栅源电压额定值为±30V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的驱动电路设计。综合来看，2SK2164是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、体积和稳定性有较高要求的现代电力电子系统。

2SK2164广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合用于AC-DC和DC-DC转换器，例如电视机、显示器、笔记本电脑适配器等消费类电子产品的内置电源模块。其500V的耐压能力和7A的连续漏极电流使其能够胜任离线式反激变换器（Flyback Converter）中的主开关管角色，在待机功耗和满载效率之间实现良好平衡。
　　在工业领域，该器件可用于PLC电源单元、小型伺服驱动器、LED照明电源以及不间断电源（UPS）等设备中，作为核心开关元件实现高效的能量转换。由于其具备良好的高温工作性能和长期运行稳定性，也被用于环境温度变化较大的户外或工业现场控制系统。
　　此外，2SK2164还可用于电机驱动电路，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为低端或高端开关使用，实现精确的启停和调速控制。其快速的开关速度有助于减少换相过程中的能量损耗，提升驱动效率。
　　在通信设备中，诸如基站电源、网络交换机和路由器的内部供电单元中，2SK2164也常被用作DC-DC降压或升压电路的开关器件，保障系统稳定运行的同时降低能耗。总之，凡是在需要高效率、高耐压、中小电流开关能力的场合，2SK2164都是一个值得信赖的选择。

2SK2163, 2SK2165, 2SK2166, STP7NC60WD, FQP7N60L, IRFBC40