类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型）
　　输入电容（Ciss）：1900pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-264

IXFC12N100F具有多个优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（1000V）使其能够在高电压应用中稳定工作，减少了系统设计中对额外电压保护电路的需求。其次，该MOSFET的导通电阻较低（最大0.85Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，IXFC12N100F具备快速的开关速度，输入电容仅为1900pF，能够支持高频操作，从而减小外围电路的体积并提升电源转换器的功率密度。该器件还具有良好的热稳定性，TO-264封装提供了优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，适用于标准MOSFET驱动器。同时，其栅极阈值电压为4V左右，保证了良好的开启控制特性。IXFC12N100F还具备较高的短路和过载承受能力，增强了其在恶劣工作环境中的可靠性。

IXFC12N100F广泛应用于各类高电压、高功率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变系统、电焊设备以及工业自动化控制设备。由于其具备高电压能力和良好的热管理性能，该器件特别适用于需要长时间稳定运行的工业和通信电源系统。
　　在电源设计中，IXFC12N100F常用于高压DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路中，能够有效提升系统效率并减少发热。此外，在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥结构中的高边和低边开关，实现高效、可靠的电机驱动。
　　由于其高可靠性，IXFC12N100F也常用于医疗设备、测试设备和自动化控制系统中，作为关键的功率开关元件。

STF12N100M5、FCH12N100F、IXFH12N100Q