时间：2023/7/5 14:22:30
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TPS1100PWR是单P沟道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺针对电池供电系统中的3V或5V配电进行了优化。凭借-1.5V的最大VGS(th)和仅为0.5uA的IDSS，TPS1100PWR是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。低rDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为10ns)使TPS1100PWR成为低压开关应用的合理选择，例如用于脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄薄型收缩小外形封装或TSSOP(PW)版本具有更小的占位面积和更低的高度，适用于其他P沟道MOSFET无法做到的地方。在电路板空间非常宝贵且高度限制不允许小外形集成电路(SOIC)封装的情况下，尺寸优势尤其重要。
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | TPS1100PWR |
| 供应商 | 德州仪器 |
| 描述 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP |
| 详细描述 | 表面贴装型 P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP |
| 类别 | 分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173"，4.40mm宽) |
| 基本产品编号 | TPS1100 |
TPS1100PWR
| 零件状态 | 在售 |
| FET类型 | P通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 15伏 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.27A(Ta) |
| 驱动电压(最大RdsOn，最小RdsOn) | 2.7V,10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 180毫欧@1.5A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.5V@250μA |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.45nC@10V |
| Vgs(最大值) | +2V，-15V |
| 功率耗散(最大值) | 504mW(Ta) |
| 箱/包 | TSSOP |
| 引脚数 | 8 |
| 连续漏极电流(ID) | 1.27安 |
| 目前评级 | -1.27mA |
| 漏源击穿电压 | -15伏 |
| 漏源电阻 | 180毫欧 |
| 漏源电压(Vdss) | 15伏 |
| 栅源电压(Vgs) | 2伏 |
| 最高工作温度 | 125℃ |
| 最大功耗 | 504兆瓦 |
| 最低工作温度 | -40℃ |
| 元素数 | 1 |
| 打包 | 卷带 |
| 功耗 | 504兆瓦 |
| 最大Rds | 180毫欧 |
| 上升时间 | 10纳秒 |
| 关断延迟时间 | 13纳秒 |
| 开启延迟时间 | 4.5纳秒 |
| 额定电压(直流) | -15伏 |
| 高度 | 1.2毫米 |
| 长度 | 3毫米 |
| 厚度 | 1毫米 |
| 宽度 | 4.4毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 不 |
低rDS(on)VGS=-10V时为0.18典型值
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS(th)=-1.5V最大值
提供超薄TSSOP封装(PW)
ESD保护高达2kV，符合MIL-STD-883C，方法3015
笔记本电脑
个人数字助理(PDA)
蜂窝电话
PCMCIA卡
TPS1100PWR 3D模型
TPS1100PWR封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| TPS1100PW | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel -15V 1.27A |
| TPS1100PWG4 | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |
| TPS1100PWRG4 | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |
