BDFNR2C051DS 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),由 Bosch 公司设计制造。这款器件主要用于高频和高效率功率转换应用,例如 DC-DC 转换器、无线充电系统以及车载电子设备等。得益于 GaN 材料的优异特性,BDFNR2C051DS 具有低导通电阻、快速开关速度和高工作频率的特点,能够显著提高系统的整体性能和能效。
该器件采用 DFN 封装形式,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的应用环境中使用。同时,其内置的保护功能(如过流保护和短路保护)增强了系统的可靠性和稳定性。
型号:BDFNR2C051DS
封装:DFN8
额定电压:650 V
额定电流:3.6 A
导通电阻:51 mΩ
栅极电荷:37 nC
最大工作温度范围:-55℃ 至 175℃
存储温度范围:-55℃ 至 150℃
结壳热阻:20 ℃/W
BDFNR2C051DS 的主要特性包括:
1. 高开关频率支持,可达数 MHz,适用于高频功率转换应用。
2. 极低的导通电阻(Rds(on) = 51 mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并优化动态表现。
4. 内置保护功能,提供更高的可靠性。
5. 紧凑型 DFN 封装,节省 PCB 空间,同时具备出色的散热能力。
6. 支持宽禁带半导体技术,具备更好的耐高温特性和更低的能量损耗。
7. 符合汽车级标准,能够在恶劣环境下稳定运行。
BDFNR2C051DS 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子系统,例如车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器和电源管理系统。
2. 工业设备中的高效电源模块和电机驱动器。
3. 消费类电子产品中的快充适配器和无线充电解决方案。
4. 通信基础设施中的高频功率放大器和信号处理电路。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场景,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。