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BDFNR2C051DS 发布时间 时间:2025/6/5 13:27:02 查看 阅读:10

BDFNR2C051DS 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),由 Bosch 公司设计制造。这款器件主要用于高频和高效率功率转换应用,例如 DC-DC 转换器、无线充电系统以及车载电子设备等。得益于 GaN 材料的优异特性,BDFNR2C051DS 具有低导通电阻、快速开关速度和高工作频率的特点,能够显著提高系统的整体性能和能效。
  该器件采用 DFN 封装形式,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的应用环境中使用。同时,其内置的保护功能(如过流保护和短路保护)增强了系统的可靠性和稳定性。

参数

型号:BDFNR2C051DS
  封装:DFN8
  额定电压:650 V
  额定电流:3.6 A
  导通电阻:51 mΩ
  栅极电荷:37 nC
  最大工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  存储温度范围:-55℃ 至 150℃
  结壳热阻:20 ℃/W

特性

BDFNR2C051DS 的主要特性包括:
  1. 高开关频率支持,可达数 MHz,适用于高频功率转换应用。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on) = 51 mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并优化动态表现。
  4. 内置保护功能,提供更高的可靠性。
  5. 紧凑型 DFN 封装,节省 PCB 空间,同时具备出色的散热能力。
  6. 支持宽禁带半导体技术,具备更好的耐高温特性和更低的能量损耗。
  7. 符合汽车级标准,能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

BDFNR2C051DS 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统,例如车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器和电源管理系统。
  2. 工业设备中的高效电源模块和电机驱动器。
  3. 消费类电子产品中的快充适配器和无线充电解决方案。
  4. 通信基础设施中的高频功率放大器和信号处理电路。
  5. 其他需要高性能功率开关的应用场景,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。

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