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MT15N2R2B500CT 发布时间 时间:2025/6/17 14:06:58 查看 阅读:4

MT15N2R2B500CT 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。它通常应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
  这款芯片以其出色的性能表现和可靠性著称,能够在高电压和大电流环境下稳定工作。

参数

型号:MT15N2R2B500CT
  类型:N 沟道功率 MOSFET
  VDS(漏源极击穿电压):500V
  RDS(on)(导通电阻):2.2Ω
  ID(连续漏极电流):15A
  Qg(栅极电荷):35nC
  EAS(雪崩能量):8J
  fSW(最大开关频率):500kHz
  封装形式:TO-247

特性

MT15N2R2B500CT 具有以下主要特性:
  1. 高 VDS(500V),使其适用于高压应用场景。
  2. 极低的 RDS(on)(2.2Ω),可有效减少导通损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关速度,支持高达 500kHz 的开关频率,非常适合高频应用。
  4. 较低的栅极电荷 Qg(35nC),有助于减少驱动功耗。
  5. 强大的雪崩能力(EAS=8J),提高了在异常条件下的耐用性。
  6. 采用 TO-247 封装,便于散热设计和安装。
  这些特性使 MT15N2R2B500CT 成为需要高效率和可靠性的电路的理想选择。

应用

MT15N2R2B500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和电源管理。
  3. 电机驱动,包括步进电机、无刷直流电机等。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  其高电压和低导通电阻的优势使得该器件在各种功率电子设备中表现出色。

替代型号

MT15N2R2B500FT, IRFP460, STP15NF50Z

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