时间：2025/6/28 14:37:34
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SLF20N50S是一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等电路中。其额定电压为500V，额定电流为20A，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合于高频应用环境。
SLF20N50S在设计时特别注重散热性能与电气效率，通过优化芯片结构以降低功耗并提高系统可靠性。此外，这款器件还具备良好的雪崩能量吸收能力，能够在异常工作条件下提供额外保护。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：20A
栅源开启电压：4V
导通电阻（典型值）：0.8Ω
总功耗：140W
结温范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
雪崩击穿能量：3.5J
SLF20N50S的主要特点是高耐压能力与较大的电流承载能力相结合，同时保持较低的导通电阻，这使得它在功率转换应用中表现出较高的效率。
另外，该器件支持快速开关操作，能够减少开关损耗，进而提升整体性能。
其TO-220封装形式易于安装，并且提供了出色的散热路径，这对长时间稳定运行至关重要。
该MOSFET还经过严格测试以确保其雪崩能量处理能力，从而增强了在恶劣环境下工作的鲁棒性。
SLF20N50S广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关模式电源(SMPS)、电机控制器、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器以及各类工业自动化控制装置。
在这些应用场景下，其高电压等级和大电流容量使其成为理想选择，尤其是在需要高效功率传输和精确电流控制的地方。
STP20NF50,
IRF540N,
FDP20N50C,
IXTH20N50L
