时间：2025/9/10 10:15:53
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EPAG421ELL820MU40S 是一款由 EPC（Efficient Power Conversion）公司生产的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），主要用于高效率、高频功率转换应用。该器件采用了氮化镓（GaN）半导体技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）、快速的开关速度以及优异的热性能，适用于DC-DC转换器、服务器电源、无线充电、电机驱动以及其他高性能电源系统。
型号：EPAG421ELL820MU40S
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：40A（@TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：8.2mΩ（最大）
栅极电荷（QG）：10nC
输出电容（COSS）：300pF
封装形式：四方扁平无引线封装（QFN）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
引脚数：24
安装类型：表面贴装（SMD/SMT）
EPAG421ELL820MU40S 具备多项优异的电气与热性能，是基于EPC先进的氮化镓技术制造的功率器件。该器件在100V电压下具有极低的导通电阻（最大8.2mΩ），能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，提高系统效率。其连续漏极电流可达40A，在高频开关应用中表现稳定。
该氮化镓FET的栅极电荷（QG）仅为10nC，显著降低了开关过程中的能量损耗，从而支持更高的开关频率，适用于高频DC-DC变换器和同步整流器等应用。此外，输出电容（COSS）为300pF，有助于减少高频开关下的动态损耗，提升整体效率。
该器件采用24引脚QFN封装设计，具备良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于自动化生产与高密度布局。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，可在极端环境下稳定运行，适用于工业、通信、汽车电子等多种高可靠性场景。
由于采用氮化镓材料，EPAG421ELL821ELL820MU40S相比传统硅基MOSFET具备更小的芯片尺寸、更高的功率密度和更快的开关速度，从而实现更紧凑、更高效率的电源设计。
EPAG421ELL820MU40S 广泛应用于各类高性能电源系统中，包括高频DC-DC降压/升压转换器、隔离型与非隔离型同步整流器、服务器电源、电信整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制驱动器、无线充电系统以及车载电源系统等。由于其高频开关能力，该器件也适用于需要高效率与高功率密度的电源拓扑，如LLC谐振转换器、相移全桥（PSFB）转换器以及多相VRM（电压调节模块）设计。此外，其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度电源模块中表现出色，适合用于5G通信电源、数据中心电源和工业自动化设备的电源部分。
EPC2218、EPC2204、EPC2053、GaN Systems GS61004B、Navitas NV6127
