时间：2025/5/8 19:40:12
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BD5343G-TR是由ROHM（罗姆）公司生产的一款高速、低导通电阻的N沟道MOSFET晶体管。该产品主要应用于需要高效功率转换和快速开关特性的场景，例如电源管理模块、DC-DC转换器以及负载开关等。BD5343G-TR采用了先进的半导体制造工艺，能够提供出色的性能和可靠性。
BD5343G-TR的设计旨在满足现代电子设备对高效率、小尺寸和低功耗的需求，同时其卓越的热特性和稳定性也使其非常适合在苛刻的工作条件下使用。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：6nC（典型值）
开关速度：非常快
工作温度范围：-40℃至+125℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关特性，适合高频应用。
3. 小型封装（支持节省空间的设计）。
4. 出色的热稳定性和可靠性，适用于各种环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 支持大电流操作，增强系统的承载能力。
1. 移动设备中的电源管理单元。
2. DC-DC转换器及降压电路。
3. 负载开关与保护电路。
4. 可携式电子产品中的电池管理。
5. 工业自动化设备中的信号切换。
6. 汽车电子中的辅助电源控制。
7. 其他需要高性能MOSFET的应用场合。
BS170, IRF530, 2SK2518
