电容值：4.2pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷
　　电极材料：镍/银（Ni/Sn）

B39152B3421U410 电容器采用了C0G（NP0）温度系数陶瓷介质，具有非常稳定的电气性能，电容值随温度变化极小，适用于对精度要求极高的射频（RF）电路和高频滤波器应用。
　　该器件的容差为±0.1pF，确保了高精度的电容匹配，特别适用于需要高稳定性和低损耗的高频电路设计。
　　其额定电压为50V，能够承受较高的直流或交流电压应力，确保在各种工作条件下的可靠运行。
　　该电容器采用小型0402封装，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产工艺。
　　此外，该电容器具有低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感），有助于减少高频信号路径中的损耗和噪声。

B39152B3421U410 常用于无线通信设备中的射频匹配网络、滤波器、振荡器和放大器电路。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、无线路由器、蓝牙模块和Wi-Fi芯片组中，该电容器可作为高频旁路或去耦电容，确保信号的稳定性和完整性。
　　在工业控制和汽车电子系统中，该电容器也适用于高精度模拟电路和电源管理模块中的滤波和稳定功能。
　　此外，由于其高稳定性，B39152B3421U410 也广泛应用于测试测量仪器、射频识别（RFID）系统以及精密传感器电路中。

替代型号包括Murata的GRM1555C1H4R2BA01D和Samsung Electro-Mechanics的CL10A421JB8NNNC。这些型号在电容值、电压等级和封装尺寸方面与B39152B3421U410相似，适用于相同的应用场景。