时间：2025/5/22 15:01:54
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DMN62D2UVT是一款来自Diodes公司的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN3030-10封装，具有超低导通电阻和高开关速度的特性。它适用于各种高效能、空间受限的应用场景，例如便携式设备、负载开关、同步整流以及电机驱动等。
最大 drain-source 电压：30V
连续 drain 电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：8nC（典型值）
总电容：1550pF（输入电容）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN62D2UVT具有非常低的导通电阻，从而可以显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件的紧凑型DFN3030-10封装使其非常适合于对PCB面积有严格要求的设计。
MOSFET的快速开关性能有助于减少开关损耗，并在高频应用中表现出色。
此外，其高可靠性设计确保了长期稳定运行，适用于消费电子和工业控制领域。
DMN62D2UVT广泛应用于便携式电子产品中的负载开关功能，例如智能手机和平板电脑。
它可以作为同步整流器的一部分用于DC-DC转换器，以提高转换效率。
同时，该器件还适合用于小型电机驱动器、电池保护电路以及其他需要低功耗和高性能的场景。
DMN62D2UFUT
