LBVA199LT1G 时间：2025/8/13 15:12:20 阅读：33

LBVA199LT1G 是由安森美半导体（onsemi）推出的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要用于高频放大和开关应用。其设计适用于需要高增益带宽和低噪声性能的场景，适用于射频（RF）和模拟电路中的前置放大器、高频振荡器以及信号处理模块。LBVA199LT1G 采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合工业级和消费类电子产品的应用。

参数

晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110~800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

LBVA199LT1G 具有优异的高频性能和低噪声特性，非常适合射频和模拟信号放大应用。其高频增益带宽积达到250MHz，能够在高频环境下保持良好的增益稳定性，适用于射频接收器和发射器中的前置放大器。此外，该晶体管具有较低的基极电阻和集电极串联电阻，有助于降低信号失真和噪声系数。其电流增益（hFE）范围广泛，可根据具体需求选择不同等级的器件，适用于需要高增益的放大电路。SOT-23封装体积小、散热性能好，适合高密度PCB布局。LBVA199LT1G 还具有良好的热稳定性和抗静电能力，可在恶劣环境中稳定工作，适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品。

应用

LBVA199LT1G 主要应用于高频放大器、射频接收器前端、振荡器电路、模拟信号处理、低噪声放大器以及高速开关电路。在无线通信系统中，它常用于射频信号的前置放大和频率转换模块。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器的输入级或数字电路的高速开关控制。此外，LBVA199LT1G 还可用于传感器信号放大、电源管理模块以及各种模拟电路中的关键增益元件。