BCS00PP 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用高密度沟槽结构,具备低导通电阻和高可靠性,适合用于电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4.1A
导通电阻(RDS(on)):0.076Ω @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on)):0.105Ω @ VGS = -2.5V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP(表面贴装)
BCS00PP MOSFET 的设计采用了 ROHM 的先进沟槽技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了效率。其低 RDS(on) 特性使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗,减少发热并提升系统稳定性。
该器件支持较高的栅极电压容限(±12V),允许在较宽的控制电压范围内稳定工作。此外,BCS00PP 的封装形式为 SOP,适合表面贴装工艺,提高了 PCB 设计的灵活性和自动化生产效率。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。其 P 沟道结构使其在高端开关应用中无需额外的驱动电路,简化了电路设计并降低了系统成本。
BCS00PP 主要应用于以下领域:
1. 电池供电设备中的负载开关控制,如便携式电子设备和移动电源;
2. DC-DC 转换器中的同步整流器或主开关;
3. 电机驱动电路中的高边开关;
4. 电源管理系统中的过流保护和热保护电路;
5. 工业控制系统中的开关电源和负载控制模块。
BUZ74L, FDC6303, Si2302DS, AO4406A