时间：2025/6/17 11:40:49
阅读：4
SQJA84EP-T1_GE3 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高压 MOSFET 芯片，采用 TOLL 封装形式。该器件主要应用于高功率密度的工业和汽车领域，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器等场景。其设计注重效率和热性能优化，能够在高开关频率下保持较低的导通电阻和开关损耗。
该芯片基于先进的硅工艺制造，具备出色的可靠性和稳定性，能够满足严苛环境下的工作需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：97A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：125nC
输入电容：3050pF
开关频率：最高支持 1MHz
封装形式：TOLL
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SQJA84EP-T1_GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷设计，有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强在过载或短路情况下的鲁棒性。
4. 内置静电放电（ESD）保护功能，提高抗干扰能力。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 支持超宽的工作温度范围，适应极端环境条件。
7. 提供快速体二极管恢复时间，适合高频开关应用。
SQJA84EP-T1_GE3 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和电机控制，例如伺服驱动器和工业自动化设备。
2. 汽车电子系统，包括电动车辆（EV）逆变器、车载充电器（OBC）以及 DC-DC 转换器。
3. 太阳能微逆变器和储能系统中的功率转换模块。
4. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计。
5. 不间断电源（UPS）和其他需要高效率、高功率密度的应用场景。
SQJH05EP, SQJA89EP
