时间：2025/9/14 7:45:47
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PBSS4350D,115 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高频、高功率NPN晶体管，专为射频（RF）功率放大应用设计。该晶体管采用先进的技术，能够在高频率下提供卓越的性能，适用于无线通信、广播和工业设备等应用场景。其紧凑的封装设计和高功率处理能力，使其成为现代射频系统中不可或缺的元件。
类型：NPN晶体管
集电极-发射极电压（Vce）：120V
集电极电流（Ic）：5A
功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：TO-220AB
频率范围：175MHz至500MHz
增益（hFE）：40-250
输出功率：50W（典型值）
PBSS4350D,115 具有出色的高频性能，能够在175MHz至500MHz的频率范围内高效工作，适用于各种射频功率放大器设计。其高增益特性（hFE为40-250）确保了信号的稳定放大，同时具备较低的失真率，保证了信号传输的质量。
此外，该晶体管具有高达5A的集电极电流和50W的功率处理能力，能够承受较大的负载，适用于高功率需求的应用场景。其120V的集电极-发射极电压（Vce）设计，使其在高压环境下依然能够稳定运行。
该器件采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定。其工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件，确保设备的可靠性和耐用性。
PBSS4350D,115 还具有良好的线性度和稳定性，能够有效减少信号失真，提高系统整体性能。其高效率和低噪声特性，使其在射频通信系统中表现出色，尤其适用于调频广播、无线通信和工业射频设备等领域。
PBSS4350D,115 主要应用于射频功率放大器的设计，广泛用于无线通信系统、调频广播发射机、工业射频加热设备以及测试和测量仪器。其高功率处理能力和高频性能，使其成为UHF（超高频）和VHF（甚高频）放大器的理想选择。此外，该晶体管还可用于音频功率放大器和其他高功率电子设备中，提供稳定的信号放大和高效的能量转换。
MRF150, 2N6149, MJ15003G
