时间：2025/4/29 9:24:07
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2N7000RLRAG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于小型信号MOSFET。它常用于开关电路和放大器设计中，适用于低功率应用场合。由于其出色的开关特性和较低的导通电阻，2N7000RLRAG被广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
该器件具有较高的输入阻抗和快速的开关速度，同时在小信号处理方面表现出色。其封装形式通常为TO-92，这种封装体积小巧，便于安装和散热。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
功耗：400mW
导通电阻：约3.5Ω
栅极电荷：10nC
工作温度范围：-55℃至150℃
2N7000RLRAG具有以下显著特点：
1. 高输入阻抗，使得驱动电路设计更加简单。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 小巧的TO-92封装，节省空间并易于集成到各种电路中。
4. 较低的导通电阻，在负载条件下能减少功耗和发热。
5. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作环境。
6. 稳定性好，长时间使用后性能衰减较小。
这款MOSFET适用于多种场景，例如：
1. 开关电源中的小信号控制开关。
2. 数字电路中的逻辑电平转换。
3. 电池供电设备中的负载切换。
4. 音频电路中的信号放大或开关功能。
5. 各类传感器接口电路中的隔离与保护。
6. 继电器驱动或固态继电器设计。
7. 小功率电机控制及调速电路。
2N7002, BSS138, SI2302DS
