时间：2025/9/1 14:03:13
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HY27UF084G2M-TP是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的NAND闪存芯片，广泛应用于需要大容量存储和高性能数据读写的设备中。该芯片采用8位I/O接口，支持单电压供电，适用于各种嵌入式系统和便携式电子产品。
型号: HY27UF084G2M-TP
容量: 4GB
电压: 3.3V
接口类型: 8位NAND
封装类型: TSOP
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
最大读取速度: 50MB/s
最大写入速度: 20MB/s
页面大小: 2KB
块大小: 128KB
ECC要求: 需要ECC校正
HY27UF084G2M-TP采用先进的NAND闪存技术，具有较高的存储密度和可靠的数据存储性能。该芯片支持页读取和编程操作，具备良好的耐用性和数据保持能力。此外，该芯片支持硬件写保护功能，可防止意外数据丢失。其低功耗设计和紧凑的TSOP封装形式，使其非常适合用于移动设备、消费类电子产品和工业控制系统。
这款NAND闪存芯片内置坏块管理机制，可以在出厂时标记坏块，从而提高系统的稳定性和寿命。其高速的I/O接口和优化的存储结构，使其在大数据量读写应用中表现优异。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境下稳定运行。
HY27UF084G2M-TP主要用于嵌入式系统、固态存储设备、数码相机、MP3播放器、工业控制器、车载导航系统以及其他需要非易失性大容量存储的电子设备。由于其高性能和低成本的优势，该芯片也广泛应用于各类消费类电子产品中。
K9F5608U0C-YCB0, TC58NVG0S3ETA00, MT29F4G08ABADA
