类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　增益（hFE）：110 至 800（具体取决于等级）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236）

BC847CS_R1_00001 具有多种优异的电气特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其较高的电流增益（hFE）范围（110 至 800）使其能够适应不同级别的信号放大需求，从微弱信号放大到中等功率开关应用均可胜任。其次，该晶体管的频率响应高达 100 MHz，适合用于射频（RF）和高频开关电路。
　　此外，BC847CS_R1_00001 的最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30 V，具有良好的电压耐受能力，适用于多种电压条件下的电路设计。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，而且具有良好的热稳定性和机械强度。
　　该晶体管的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，适合在严苛的工业和汽车环境中运行。此外，BC847CS_R1_00001 的最大功耗为 300 mW，确保在低功耗设计中也能保持稳定性能。

BC847CS_R1_00001 由于其多功能性和良好的电气特性，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器、逻辑电平转换器和 LED 驱动电路中。在工业控制领域，该晶体管可用于继电器驱动、传感器接口电路以及小型电机控制电路。
　　在汽车电子系统中，BC847CS_R1_00001 可用于车身控制模块、车灯驱动电路以及车载娱乐系统的信号处理部分。此外，在通信设备中，该晶体管也常用于低频和射频信号放大、开关电路和振荡器设计。
　　由于其高频响应能力，BC847CS_R1_00001 也适合用于数字电路中的开关应用，如电平转换、缓冲器和驱动器电路。其小封装形式也使其成为便携式设备和嵌入式系统中的理想选择。

BC847B R1 315, BC847 NPN Transistor, PN2222A, 2N3904