时间：2025/7/10 0:16:59
阅读：25
SI7117DN-T1-GE3是来自Siliconix（现为Vishay子公司）的一款N沟道增强型MOSFET，采用TrenchFET Gen III技术制造。该器件设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场合，具有极低的Rds(on)以及优化的开关性能。它通常被用作功率转换、负载切换和其他高效能要求的电路中的关键元件。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1320pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263-3（DPAK）
SI7117DN-T1-GE3采用了先进的TrenchFET技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 优化的开关性能，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，能够满足大功率需求。
4. 紧凑型表面贴装封装，便于自动化生产与装配。
5. 广泛的工作温度范围使其适用于各种严苛条件下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
由于其卓越的电气特性和坚固耐用的设计，SI7117DN-T1-GE3广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 计算机及服务器中的多相VRM（电压调节模块）。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率转换与管理。
6. 其他需要高效功率处理和快速开关的场景。
SI7118DN, IRF7755PbF, FDP069N06L
