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SI7117DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/10 0:16:59 查看 阅读:4

SI7117DN-T1-GE3是来自Siliconix(现为Vishay子公司)的一款N沟道增强型MOSFET,采用TrenchFET Gen III技术制造。该器件设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场合,具有极低的Rds(on)以及优化的开关性能。它通常被用作功率转换、负载切换和其他高效能要求的电路中的关键元件。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1320pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-263-3(DPAK)

特性

SI7117DN-T1-GE3采用了先进的TrenchFET技术,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 优化的开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,能够满足大功率需求。
  4. 紧凑型表面贴装封装,便于自动化生产与装配。
  5. 广泛的工作温度范围使其适用于各种严苛条件下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

由于其卓越的电气特性和坚固耐用的设计,SI7117DN-T1-GE3广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 计算机及服务器中的多相VRM(电压调节模块)。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与管理。
  6. 其他需要高效功率处理和快速开关的场景。

替代型号

SI7118DN, IRF7755PbF, FDP069N06L

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SI7117DN-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大12.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
  • 包装带卷 (TR)