时间：2025/8/6 7:14:08
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IXFN64N50PD3是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电路、电源转换器、电机驱动器等电力电子系统中。该器件采用先进的沟道技术，具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能，适用于各种需要高效能功率管理的场合。IXFN64N50PD3采用TO-247封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
漏极电流(Id)：64A
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.145Ω
栅极电荷(Qg)：典型值为170nC
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFN64N50PD3具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
其次，该MOSFET具备高达500V的漏源电压额定值，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换应用。
此外，IXFN64N50PD3采用了先进的封装技术，TO-247封装不仅提供了良好的散热能力，还简化了PCB布局和散热器安装过程。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
同时，该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，增强系统的可靠性。
最后，IXFN64N50PD3的热阻较低，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性，延长器件的使用寿命。
IXFN64N50PD3适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制和驱动电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在电源管理领域，该器件能够有效提高转换效率并降低功耗，特别适用于需要高频开关操作的场合。
在电机控制应用中，IXFN64N50PD3可用于H桥驱动电路，实现对电机速度和方向的精确控制。
此外，该MOSFET也可用于太阳能逆变器和储能系统中，作为核心功率开关元件，确保系统的稳定性和高效性。
由于其高可靠性和优异的热性能，IXFN64N50PD3也常用于汽车电子、轨道交通和通信设备中的电源管理模块。
STP65N50FD, IRFP460LC, IXFH64N50P
