时间：2025/5/30 16:13:39
阅读：6
SUB75P03-07-E3 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺的射频功率晶体管，主要用于无线通信、雷达系统和射频能量应用。该器件具有高增益、高效率和宽带性能特点，适用于频率范围在 S 波段及以上的应用场景。其封装设计能够支持高效的散热管理，并提供稳定的输出功率表现。
最大输出功率：50W
频率范围：2.8GHz 至 3.2GHz
增益：11dB
效率：60%
工作电压：28V
静态电流：4A
封装形式：E3 封装
结温范围：-40℃ 至 +100℃
SUB75P03-07-E3 的主要特性包括高线性度和出色的负载牵引能力，使其在复杂的调制信号下仍能保持稳定运行。此外，该器件内置了匹配网络以优化阻抗，减少外部电路设计复杂度。
它采用增强型 E3 封装技术，具备良好的热传导性和电气隔离性能，确保在严苛环境下的可靠性。
由于采用了先进的 GaAs 工艺，这款晶体管可以在高频条件下提供卓越的功率附加效率（PAE），从而降低系统功耗并延长设备使用寿命。
SUB75P03-07-E3 广泛应用于需要高性能射频放大的领域，例如：
1. 军用雷达系统中的发射机模块
2. 无线通信基站的功率放大器
3. 测试与测量设备中的信号源
4. 射频能量转换装置如等离子体激发或加热系统
5. 微波链路终端的功率提升组件
这些应用得益于其宽频带覆盖能力以及高效稳定的功率输出。
SUB75P03-07-D3
SUB75P03-10-E3
