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BC847BV,115 发布时间 时间:2025/9/14 19:36:05 查看 阅读:8

BC847BV,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的双极型晶体管(NPN 和 PNP)组合器件,广泛应用于通用开关和放大电路中。该器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,采用 SOT-363 封装,适用于需要节省空间和高集成度的电路设计。

参数

类型:双极型晶体管组合(NPN + PNP)
  集电极-发射极电压(Vce):最大 30V(NPN),最大 30V(PNP)
  集电极电流(Ic):最大 100mA(NPN),最大 100mA(PNP)
  功率耗散:最大 200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-363

特性

BC847BV,115 的主要特性包括低功耗设计、高可靠性以及良好的热稳定性。其 SOT-363 小型封装非常适合用于高密度 PCB 设计。此外,该器件具有较高的电流增益(hFE),适用于低频和中频放大器以及数字开关应用。其 NPN 和 PNP 晶体管可以协同工作,实现互补型电路设计,例如推挽放大器和 H 桥驱动电路。该器件的制造工艺符合 RoHS 标准,支持环保应用。

应用

BC847BV,115 常用于消费类电子产品、工业控制电路、传感器接口、LED 驱动、音频放大器以及数字逻辑电路中。由于其集成双晶体管结构,非常适合用于需要互补驱动的场合,如电机控制、继电器驱动和电平转换电路。

替代型号

BC847BVS-7-F, BC847BDS-7-F

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BC847BV,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934056535115BC847BV T/RBC847BV T/R-ND