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H26M52208FPRN 发布时间 时间:2025/9/2 9:23:12 查看 阅读:9

H26M52208FPRN 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度存储解决方案的一部分。这款芯片广泛应用于需要高性能和高存储密度的电子设备中,例如嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和消费类电子产品。H26M52208FPRN 采用先进的DRAM技术,提供高速数据访问和可靠的数据存储能力。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H26M52208FPRN 是一款高性能DRAM芯片,具有以下显著特性:
  1. **大容量存储**:该芯片的存储容量为256Mb,采用16M x16的组织结构,适用于需要较大内存缓冲的应用场景。这种容量和结构的组合使得它能够高效地处理大量数据,满足复杂系统的需求。
  2. **宽电压范围**:H26M52208FPRN 的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在多种电源条件下稳定运行。这种宽电压设计提高了其在不同应用环境中的适应性,尤其是在电源波动较大的系统中。
  3. **高速访问**:该芯片的访问时间为5.4ns,支持快速的数据读写操作,能够显著提升系统的整体性能。高速DRAM在图像处理、数据缓存和实时计算等场景中尤为重要。
  4. **工业级温度范围**:H26M52208FPRN 的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准。这使得它能够在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、通信设备和汽车电子等对可靠性要求较高的应用。
  5. **TSOP封装设计**:该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能。TSOP封装有助于降低芯片在PCB上的占用空间,同时减少信号干扰,提高高频工作的稳定性。
  6. **低功耗设计**:尽管H26M52208FPRN 提供了高性能的数据访问能力,但它仍然采用了优化的低功耗设计,以减少系统整体的能耗。这种特性对于电池供电设备和对能效要求较高的系统尤为重要。

应用

H26M52208FPRN 主要应用于需要高速数据存储和大容量缓冲的系统中。例如,在嵌入式系统中,该芯片可以作为主存储器或高速缓存,用于提升系统运行效率。在网络设备中,它能够提供快速的数据包缓冲,确保数据传输的稳定性和高效性。此外,H26M52208FPRN 还广泛应用于工业控制设备、图像处理设备、消费类电子产品以及通信模块中,作为高性能存储解决方案的核心组件。

替代型号

H26M52208FPRN-54C, H26M52208BPRN

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