IXFH17N80Q 时间：2025/8/6 10:01:53 阅读：37

IXFH17N80Q是一款由IXYS公司生产的高电压、高频率N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等电力电子系统中。该器件采用了先进的平面DMOS技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。作为一款Q系列的MOSFET，它具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和汽车电子应用。

参数

最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：17A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH17N80Q具备多项优良特性，首先其800V的高耐压能力使其适用于高电压输入环境，如工业电源和光伏逆变器等应用。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）值，典型值仅为0.45Ω，这意味着在导通状态下其功耗较低，有助于提高整体系统的效率。此外，该器件的开关速度较快，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，适用于高频DC-DC转换器和UPS系统。
　　在可靠性方面，IXFH17N80Q采用了先进的封装技术和材料，具有良好的热管理和耐高温能力，确保在严苛环境下仍能稳定运行。其TO-247AC封装形式不仅便于安装和散热，还具有良好的机械稳定性和电气绝缘性能。此外，该器件还具备较高的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在异常工作条件下提供更高的安全裕量。

应用

IXFH17N80Q因其高性能和高可靠性，广泛应用于多种电力电子设备中。在电源系统中，常用于开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器和电池充电器中，以实现高效率的能量转换。在工业控制领域，该器件适用于电机驱动器、变频器和逆变器等设备，提供稳定的功率输出。此外，IXFH17N80Q也常用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统，以支持高电压输入和高效能转换。同时，该MOSFET还可用于电动汽车（EV）充电设备和储能系统，满足高功率密度和高可靠性的需求。