时间：2025/7/18 16:41:09
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HMK105CG100DV-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要适用于中高压应用场景，其封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：98nC
输入电容：1690pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HMK105CG100DV-F 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
3. 强大的雪崩能量承受能力，确保在异常条件下仍能可靠工作。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径，进一步降低了系统复杂度。
6. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内保持性能。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
4. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率管理模块。
5. 各类工业控制设备中的负载切换功能。
其卓越的性能使其成为需要高效功率转换的应用的理想选择。
HMK105CG120DV-F, IRF840A, STP120NF10Z
