SSF5N80A 时间：2025/8/25 5:15:09 阅读：3

SSF5N80A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。SSF5N80A采用TO-251或TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　导通电阻(Rds(on))：≤1.8Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　封装形式：TO-251、TO-252

特性

SSF5N80A具备多项优良特性，包括高耐压能力（800V Vds），能够适用于高电压工作环境；其导通电阻较低，通常在1.8Ω以下，有助于减少导通损耗，提高系统效率；栅极驱动电压范围宽，支持±30V的栅源电压，使得其兼容多种驱动电路；同时，该器件的封装形式如TO-251或TO-252具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定工作。
　　此外，SSF5N80A在高温环境下仍能维持可靠性能，工作温度范围可达-55℃至150℃，适合工业级应用环境。其设计也优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和功率转换器。器件还具备良好的抗静电能力和过载能力，提高了整体系统的稳定性和耐用性。

应用

该MOSFET广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器以及电池管理系统等。在这些应用中，SSF5N80A能够高效地进行电能转换和控制，提高系统整体效率并降低能耗。由于其高耐压特性，该器件特别适用于高压输入环境，如工业自动化设备和电力电子系统。