SF15DUZ-H1-4 时间：2025/9/29 16:39:39 阅读：7

SF15DUZ-H1-4是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用先进的平面技术制造，专为高频、高效率的整流和保护应用而设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置，封装于紧凑的SMA（DO-214AC）表面贴装封装中，适用于空间受限的高密度电路板布局。SF15DUZ-H1-4因其低正向电压降、快速开关响应以及优良的热稳定性，在电源管理、DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路中广泛应用。其结构优化减少了寄生电感和电容，提升了高频性能，并具备良好的抗浪涌能力，适合在严苛环境中稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造要求。器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，使其能够在宽温度范围内保持可靠性能。

参数

类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　平均整流电流（Io）：1.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.53V @ 1A, 25°C（典型值）；0.6V @ 1A, 25°C（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C；1.0mA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值<1ns（肖特基特性，无少子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约75°C/W（依PCB布局而定）
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C回流焊）

特性

SF15DUZ-H1-4的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种金属-半导体结结构显著降低了正向导通压降（VF），相较于传统PN结二极管可降低30%~50%，从而大幅减少导通损耗，提升系统整体能效。例如，在1A工作电流下，其典型正向压降仅为0.53V，意味着每只二极管的功耗仅为0.53W，对于电池供电或高效率电源系统至关重要。同时，由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常小于1纳秒，几乎可以忽略不计。这一特性使其在高频开关应用如开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路、PWM控制回路中表现卓越，有效抑制了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性和电磁兼容性。
　　该器件的双二极管共阴极结构设计使其特别适用于全波整流或双通道续流保护场合，例如在H桥驱动电路中为感性负载提供反电动势泄放路径。其SMA封装具有较小的外形尺寸（约4.3mm x 2.6mm x 2.1mm），便于自动化贴片生产，同时具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可有效传导热量。器件经过严格可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用中的稳定性。此外，其低寄生参数设计减少了高频下的损耗和振铃现象，增强了信号完整性。Vishay对材料和工艺的严格控制也保证了产品批次间的一致性，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对质量要求严苛的应用场景。

应用

SF15DUZ-H1-4广泛应用于需要高效、快速响应整流功能的各类电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低压大电流输出场合，如笔记本电脑适配器、手机充电器和LED驱动电源中，利用其低VF特性提高转换效率。在DC-DC转换器拓扑中，如Buck、Boost和Flyback电路中，它常被用作续流二极管或箝位二极管，防止电感反冲电压损坏主开关器件。在电机驱动和继电器控制电路中，该器件可作为反电动势吸收二极管，保护MOSFET或IGBT免受电压冲击。此外，其快速响应能力也适用于高频逆变器、太阳能微逆变器和UPS不间断电源系统。在消费类电子产品中，可用于USB电源管理、电池充放电保护电路以及便携式设备的电源切换模块。工业自动化设备中的传感器接口、PLC输入输出模块也常采用此类二极管进行信号隔离与瞬态抑制。由于其符合AEC-Q101标准的部分版本（需确认具体等级），也可用于非关键汽车应用，如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源部分。