晶体管类型：NPN 双极性晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

BAW56LT1G/BAW56 器件具有多个显著特点，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该器件的两个NPN晶体管在设计上具有高度匹配性，使得其在差分放大器、逻辑电平转换等应用中能够提供更精确的性能。其次，其集电极-发射极电压（VCEO）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中等功率的开关应用。此外，每个晶体管的最大集电极电流为100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯和其他低功率负载。
　　该器件的封装形式为SOT-23（TO-236），体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其最大功率耗散为300mW，确保在正常工作条件下不会因过热而失效。BAW56LT1G/BAW56 的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，支持绿色电子设计。

BAW56LT1G/BAW56 广泛应用于多个电子领域。在数字电路中，该器件可用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换器，帮助实现不同电压域之间的信号兼容。在模拟电路中，它可以用于构建差分放大器、电压跟随器等基本放大结构。此外，BAW56LT1G/BAW56 还常用于驱动小型负载，如LED、小型继电器和蜂鸣器等。
　　在工业自动化系统中，该器件可以作为信号调理和控制电路的一部分，实现传感器信号的处理和执行机构的控制。在通信设备中，BAW56LT1G/BAW56 可用于构建接口电路，协助实现不同设备之间的数据传输。此外，在消费类电子产品中，例如智能家电、音频设备和便携式仪表中，该器件也被广泛采用，以提供稳定可靠的开关和放大功能。

BCV61, BC847, MMBT3904, 2N3904