时间：2025/7/22 15:43:01
阅读：8
SMM4F12A-TR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装（SMD）封装的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具备良好的热稳定性和电流承载能力，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：12V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：4A
功耗（Pd）：1.6W
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN10
SMM4F12A-TR MOSFET 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
其 DFN10 封装提供了优良的散热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
该器件支持高频开关操作，适用于如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统等应用。
此外，SMM4F12A-TR 具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下保持稳定的性能。
其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 8V，兼容标准逻辑电平驱动器，简化了设计和集成过程。
SMM4F12A-TR 常用于便携式电子设备、移动电源、LED 照明驱动、负载开关、电机控制、电源管理模块和同步整流电路等应用场景。
在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。
在电池供电设备中，SMM4F12A-TR 可用于控制电池充放电路径，提高能效并延长电池寿命。
此外，它也适用于需要低导通电阻和高开关速度的工业自动化和汽车电子系统。
Si2302DS, FDS6675, BSS138K
