类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：8.5A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：34A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=4.5V
　　栅源阈值电压(VGS(th))：1V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：10nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：DFN2020

ZXTN19060CFFTA采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提升整体系统效率。其17mΩ的典型RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，尤其在4.5V栅极驱动条件下仍能维持19mΩ的低阻态，表明其对低压逻辑信号具有良好的兼容性。这种特性对于现代低电压供电系统尤为重要，例如由锂电池供电的移动设备，通常输出电压在3V至4.2V之间，传统的MOSFET可能无法完全导通，导致效率下降甚至发热严重，而ZXTN19060CFFTA则能有效避免此类问题。
　　该器件的栅极电荷仅为10nC（在VGS=10V时），意味着其开关过程所需的能量较少，从而减少了开关损耗，提高了高频开关应用下的效率表现。这对于工作频率较高的DC-DC转换器、同步整流电路以及PWM调光驱动来说至关重要。同时，较低的输入电容（Ciss=450pF）进一步降低了驱动电路的负担，允许使用更小的驱动电流即可实现快速开关，有助于减小外围元件尺寸和功耗。
　　热性能方面，DFN2020封装虽然体积小巧（2mm x 2mm），但通过底部散热焊盘的设计实现了良好的热传导路径，使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。结合其高达+150°C的最大结温，ZXTN19060CFFTA可在恶劣的热环境中稳定运行，适用于紧凑型高密度PCB布局。此外，该器件还具备优秀的雪崩耐量和抗瞬态过压能力，增强了在电机启停、感性负载切换等易产生电压尖峰场景下的可靠性。
　　在制造工艺上，Diodes公司采用了严格的品质控制流程，确保每颗芯片的一致性和长期稳定性。器件通过了AEC-Q101认证的版本可用于汽车电子系统，如车载照明、风扇控制和电动窗驱动等，满足汽车行业对元器件寿命和环境适应性的严苛要求。同时，产品符合无铅焊接工艺要求，支持回流焊装配，便于自动化生产。

ZXTN19060CFFTA广泛应用于需要高效开关和紧凑布局的电子系统中。常见用途包括便携式电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与负载开关；在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关管或同步整流管，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率；在电机驱动电路中用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，尤其适用于无人机、玩具机器人和家用电器中的微型马达控制。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电路，特别是在PWM调光应用中，凭借其快速响应能力和低导通损耗，能够实现平滑的亮度调节并减少热量积累。在工业控制系统中，ZXTN19060CFFTA可用于继电器替代方案、固态开关和传感器电源控制等场合，提供比机械开关更高的可靠性和更长的使用寿命。
　　由于其具备汽车级版本选项，该MOSFET也被集成于车载电子模块中，如车身控制单元（BCM）、车灯控制、电动座椅调节和HVAC系统中的风扇驱动等。其小尺寸封装非常适合汽车电子中空间受限但要求高可靠性的应用场景。同时，在消费类电源适配器、USB充电器和无线充电板中，该器件可用于次级侧整流或功率通断控制，帮助实现更高的能效等级和更小的产品体积。

DMG2306UJK-7
　　SI2306DS-T1-E3
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