类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：500V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：23nC
　　输入电容（Ciss）：900pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

EGN05-08 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力（500V VDS）使其适用于中高压功率转换应用，如AC-DC电源适配器、工业电源系统和LED照明驱动电路。
　　此外，EGN05-08 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于中等功率级别的应用。该封装形式便于安装在散热片上，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其较低的输入电容（Ciss）也进一步提升了高频响应性能，有助于实现更高的功率密度设计。
　　EGN05-08 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护功能，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。

EGN05-08 MOSFET 主要应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。其高耐压和低导通电阻的特性使其非常适合用于AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，特别是在反激式和半桥式拓扑结构中表现优异。
　　在电机控制应用中，该器件可作为H桥电路中的功率开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。其快速开关特性也有助于减小电机驱动电路的体积和重量。
　　此外，EGN05-08 还可用于同步整流电路中，以替代传统的二极管整流器，显著提高整流效率。在LED照明驱动电路中，该MOSFET可用于实现高效率的恒流驱动方案。
　　由于其良好的热稳定性和抗过载能力，该器件也常用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池充电器以及各种中高压功率开关模块。

STP8NK50Z、2SK2545、IRFBC40、IPD65R950CFD、SiHP05400DV