类型：双二极管（共阴极）
　　材料：硅
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70 V
　　最大直流阻断电压（VR）：70 V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200 mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1 A
　　最大正向电压（VF）：@ IF = 10 mA: 1.0 V, @ IF = 100 mA: 1.2 V
　　最大反向电流（IR）：@ VR = 60 V: 1 μA
　　反向恢复时间（trr）：4 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C

BAS35AT的核心特性之一是其高速开关能力，反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，这使得它在高频信号处理和快速切换应用中表现出色。这一特性使其非常适合用于射频（RF）电路中的信号检波、调制解调器中的高速整流以及数字逻辑电路中的电平转换。由于其快速响应能力，能够有效减少开关过程中的能量损耗和信号失真，从而提高系统整体效率。
　　另一个关键特性是其双二极管共阴极结构设计。这种配置允许两个阳极共享一个公共阴极引脚，在PCB布局上节省空间的同时简化了电路设计。例如，在微控制器I/O口的输入保护电路中，可以利用这两个二极管将输入电压钳位到VCC和GND之间，防止过压或负压损坏敏感器件。该结构也常用于差分信号线的静电放电（ESD）防护，提升系统的抗干扰能力和可靠性。
　　该器件具有较低的正向导通压降，在10mA电流下典型值为0.85V，最大不超过1.0V，有助于降低功耗并减少发热。同时，其最大反向漏电流在60V偏置下仅为1μA，表现出良好的阻断能力，适用于高阻抗信号路径中的隔离与选择。
　　BAS35AT采用SOT-23小型化封装，体积小巧，适合高密度贴装的现代电子设备，如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。该封装具备良好的热稳定性和机械强度，并支持自动化贴片工艺，有利于大规模生产。此外，器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分版本，部分厂商提供汽车级产品选项，可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中。
　　最后，BAS35AT具备较强的环境适应性，工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其制造工艺成熟，良率高，因此在市场上供应充足且成本较低，是性价比极高的通用高速开关二极管解决方案。

BAS35AT广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高速响应和小尺寸封装的场合。在通信领域，常用于射频前端电路中的信号检测、混频和解调功能，作为高频整流元件实现信号包络提取。其快速反向恢复特性确保在GHz以下频段内保持良好性能，适用于Wi-Fi模块、蓝牙收发器和无线遥控装置。
　　在消费类电子产品中，BAS35AT被大量用于USB接口、音频线路和传感器信号路径中的静电放电（ESD）保护。其双二极管结构可分别连接到电源轨和地，形成双向钳位电路，有效吸收瞬态高压脉冲，防止后级IC受损。此类应用常见于智能手机、平板电脑和便携式音频设备中。
　　在数字逻辑电路中，BAS35AT可用于电平移位、信号整形和总线隔离。例如，在不同电压域（如3.3V与5V）之间进行信号传输时，可通过该二极管实现单向电平钳位，避免反向电流流动导致逻辑冲突或器件损坏。
　　此外，该器件还广泛用于电源管理电路中的反接保护、续流和箝位功能。例如，在DC-DC转换器或LDO稳压器输出端，用作瞬态电压抑制元件，防止负载突变引起的电压尖峰。在电机驱动或继电器控制电路中，也可作为续流二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护开关晶体管。
　　工业控制系统中，BAS35AT常用于PLC输入模块的信号调理电路，对来自现场设备的开关量信号进行限幅和滤波处理，提高系统抗噪能力。由于其宽温特性和长期稳定性，也能胜任恶劣工业环境下的可靠运行。

BAS35AW