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IRLR7807ZTRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:59:09 查看 阅读:10

IRLR7807ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。它适用于各种高效能开关应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
  该MOSFET的封装形式为SO-8(PowerPAK SO-8),有助于提升散热能力和节省PCB空间。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):9nC
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:SO-8

特性

IRLR7807ZTRPBF 具有非常低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,能够显著降低功率损耗并提高效率。
  该器件支持逻辑电平驱动,栅极阈值电压较低(通常约为2V至4V),适合与常见的微控制器或数字电路直接连接,无需额外的驱动级。
  其快速开关能力减少了开关损耗,非常适合高频开关应用。
  此外,该MOSFET具有出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期运行,这使得它在汽车电子、工业控制以及其他严苛环境中得到了广泛应用。

应用

IRLR7807ZTRPBF 广泛应用于需要高效功率切换的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和降压/升压转换器。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 汽车电子设备中的电机驱动和继电器替代方案。
  4. 工业自动化系统中的信号隔离和功率传输。
  5. 各类消费电子产品中的电源管理和充电电路。

替代型号

IRLR7843PbF, IRLR7844TRPBF

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IRLR7807ZTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 15V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR7807ZPBFTR