晶体管类型：NPN x2
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP
　　增益带宽积：250MHz（典型值）
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件）

NB672GLZ的主要特性之一是其集成双晶体管的设计，可以有效减少电路板上所需元件的数量并简化设计流程。每个晶体管都具有较高的电流增益（hFE），确保信号的稳定放大。此外，该器件具备较高的工作频率特性，使其适用于高频放大和开关应用。
　　该芯片的封装形式为TSOP，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在较为严苛的环境条件下稳定工作。其最大集电极-发射极电压为30V，适合中等功率的应用场景。
　　在可靠性方面，NB672GLZ支持宽温度范围的工作能力（-55°C至150°C），适合在工业级环境中使用。同时，其较低的功耗（最大300mW）使其成为电池供电设备的理想选择。
　　这款晶体管阵列还具有较高的频率响应能力，增益带宽积达到250MHz，这使得它可以在射频（RF）和高速开关电路中发挥重要作用。此外，其紧凑的封装设计也使其适用于高密度电路布局。

NB672GLZ常用于多种电子系统和设备中，包括工业自动化控制系统、传感器信号放大电路、电源管理模块以及音频放大器的前置放大级。在消费电子领域，它被广泛应用于便携式设备的电源开关控制和信号处理电路中。
　　在工业应用中，NB672GLZ可作为逻辑电平转换、继电器驱动或电机控制电路的一部分，其双晶体管结构有助于减少外围元件数量，提高系统的整体可靠性。
　　此外，该器件也适用于射频前端电路，例如在低噪声放大器或射频开关中使用，其高频率响应特性能够确保信号的高效传输。对于需要多个晶体管协同工作的设计，NB672GLZ提供了一个紧凑且高效的解决方案。

BC847BDS, PN2222A, 2N3904