晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：2.5GHz
　　电流增益（hFE）：100~800（根据工作条件不同）
　　噪声系数（NF）：1.5dB @ 1GHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

BAR64-04T晶体管在射频和高频应用中表现出色，其主要特性包括宽频率响应、低噪声系数和高电流增益。该器件的过渡频率（fT）高达2.5GHz，使其在高频放大电路中具备优异的性能。此外，BAR64-04T的噪声系数为1.5dB，在1GHz频率下仍能保持较低的噪声水平，适用于高灵敏度接收器前端设计。晶体管的电流增益范围为100至800，具备良好的线性度和稳定性，能够在不同工作条件下提供可靠的放大能力。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成在紧凑的电路设计中。
　　BAR64-04T的另一个重要特性是其良好的热稳定性和可靠性。该晶体管能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。同时，其最大集电极电流为50mA，最大功耗为200mW，确保在高频工作时仍能维持较低的温度上升。此外，该晶体管的低失真特性使其在射频放大和混频应用中具备更高的信号保真度，减少信号传输过程中的干扰和衰减。

BAR64-04T广泛应用于射频和高频电子设备中，尤其是在通信系统、射频放大器、混频器和调制解调器等电路中。由于其低噪声系数和高增益特性，该晶体管常用于无线通信设备的接收器前端，以提高信号的灵敏度和清晰度。此外，BAR64-04T也可用于射频信号放大、低噪声放大器（LNA）、频率合成器和射频测试设备等应用场景。其高频率响应和稳定性使其成为射频电路设计中的理想选择，尤其适用于工作频率在GHz级别的高频电路。由于其封装体积小，BAR64-04T也常用于便携式电子设备和嵌入式系统的射频模块设计中。

BFQ19S, BFU520, BFG21