时间：2025/6/13 18:35:15
阅读：7
FV21N150J102ECG是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高压MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件主要适用于高电压、大功率的开关应用，如工业电源、电机驱动和逆变器等场景。其耐压高达1500V，同时具备低导通电阻特性，确保在高压条件下也能实现高效能运行。
FV21N150J102ECG基于先进的半导体工艺技术制造，具有良好的开关特性和稳定性，适合各种恶劣环境下的电力电子应用。
额定电压：1500V
额定电流：21A
导通电阻：3.2Ω
栅极电荷：65nC
最大功耗：255W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FV21N150J102ECG具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压高达1500V，适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻：在高电流条件下提供较低的导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得开关速度更快，减少开关损耗。
4. 稳定性：即使在高温或低温环境下，也能保持稳定的电气性能。
5. 抗干扰能力强：优化设计降低了寄生电感和电容的影响，提升了抗噪性能。
6. 安全可靠：通过严格的测试和验证，确保在各种复杂工况下长期稳定工作。
FV21N150J102ECG广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：包括不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热装置。
2. 电机驱动：用于工业电机控制和变频调速系统。
3. 逆变器：光伏逆变器和风力发电逆变器中的关键元件。
4. 车载充电器：为电动车和其他新能源车辆提供高效的充电解决方案。
5. 开关电源：适用于各类高电压输出的开关电源设计。
6. 其他高压电力电子设备：如高压直流输电（HVDC）系统的相关组件。
FV25N150J102ECG
FV20N150J102ECG
IXFN100N150T2
CST28B150D
