型号：B82498F1152J
　　电容值：15pF
　　额定电压：100V DC
　　容差：±5%
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（1608公制）
　　介质类型：C0G（NP0）
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 RC ≥ 10000s（取较小值）
　　耐温特性：Class I
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值约 2.8GHz
　　老化率：0%/decade
　　磁性：非磁性材料设计

B82498F1152J 采用 C0G（NP0）陶瓷介质，具有极高的电容稳定性，其电容值几乎不受温度、电压和时间的影响。在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，电容变化不超过 ±30ppm/°C，确保在各种极端环境下仍能维持精确的电容性能。这种材料属于 Class I 类介质，具备极低的介电损耗（典型 D.F. < 0.1%），适合用于对相位稳定性和信号保真度要求极高的射频与高频电路中。
　　该电容器具有优异的频率响应特性，自谐振频率高达约 2.8GHz，使其在 GHz 级别的高频应用中依然保持高效的去耦和滤波能力。由于其极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），在高速数字电路或 RF 放大器中可有效抑制噪声并提升电源完整性。此外，C0G 材料的老化率为零，即电容值不会随使用时间延长而发生漂移，极大增强了长期工作的可靠性。
　　B82498F1152J 采用标准 0603 小型化表面贴装封装，便于自动化贴片生产，适用于高密度 PCB 布局。其结构经过优化设计，具备良好的抗热冲击性能，在回流焊过程中不易产生微裂纹。产品符合 RoHS 指令和 REACH 法规，并通过 AEC-Q200 认证，可用于汽车级应用。TDK 对该系列产品实施严格的质量控制，确保每一批次的一致性与可靠性。

B82498F1152J 广泛应用于对电容稳定性要求极高的高频模拟和射频电路中。常见用途包括无线通信系统的匹配网络、滤波器和谐振电路，如 WLAN、蓝牙、ZigBee 和 5G 模块中用于信号路径的精准调谐。其稳定的 C0G 特性也使其成为高精度振荡器、压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）电路中的理想选择，有助于维持频率的长期稳定性和减少相位噪声。
　　在高速数字系统中，该电容常被用作芯片电源引脚的高频去耦电容，有效滤除高频噪声，保障核心 IC 的稳定运行。例如，在 FPGA、ASIC 和微处理器的供电网络中，多个 B82498F1152J 可并联使用以覆盖不同频段的噪声抑制需求。此外，因其优异的温度稳定性和低损耗特性，也被广泛应用于医疗设备、测试测量仪器和工业控制系统中的精密模拟前端电路。
　　由于通过 AEC-Q200 认证，该器件同样适用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制模块和传感器接口电路。在这些环境中，它能够承受剧烈的温度变化和振动，提供持久可靠的性能表现。

GRM188C71H150JA01D
　　CC0603JRNPO9BN150
　　C1608C0G1H150J